市场技术推动创新。第三代移动通信、数字电视、下一代互联网等领域重大技术和市场的快速发展，以及“三网融合”的不断推进，驱动着集成电路产业的技术创新和产品创新。多种技术和应用的融合将催生新的集成电路产品，纳米技术和新架构的发展等新的技术发明也在孕育新的突破。

集成电路设计的新技术不断涌现。随着90nm及以下微加工技术和SoC设计技术的发展，软硬件协同设计、高速、高频、低功耗设计、IP复用、芯片综合/时序分析、可测性/调试设计、总线架构、可靠性设计等技术将得到更快的发展和更广泛的应用。

65纳米~ 45纳米工艺将实现产业化。“十一五”期间，12英寸和65-45纳米微细加工工艺将实现产业化，铜互连工艺、高k和低k介质材料将大规模采用；新型栅层材料、下一代光刻技术、光学和后光学掩膜、新型可制造互连结构和材料、光刻胶等工艺和材料将成为技术研发的重点；SOI、SiGe等材料显示出良好的应用前景。

满足更高要求的新型封装测试技术成为主流。集成电路封装正朝着高密度、高频、高功率、高可靠性和低成本的方向发展。球栅阵列封装(BGA)、倒装芯片、堆叠多芯片技术、系统级封装(SiP)、芯片级封装(CSP)、多芯片模块(MCM)等封装类型将是“十一五”期间的主流封装形式。随着芯片性能的提高和规模的扩大，测试复杂度不断增加，自动化测试技术和测试设备将会快速发展。高速设备接口、可靠性筛选方法、高效率低成本的测试技术将成为测试的发展重点。

自20世纪70年代以来，世界集成电路市场虽有波动，但一直保持15%左右的年均增长率。2001年经济衰退后，世界集成电路市场销售额逐年增长，2005年销售额达到1928亿美元，达到历史最高水平。预计“十一五”期间，集成电路市场整体将保持稳定增长，波动幅度将有所放缓。到2010年，世界集成电路市场将达到3000亿美元，平均增长率约为14%。微处理器和微控制器、逻辑电路和存储器仍将占据主要市场，ASIC市场将快速增长。

来五年，中国集成电路市场将进一步扩大，年均增长20%左右。到2010年，中国集成电路市场规模将超过8300亿元(2006-2010年中国集成电路市场需求预测见下表)。0.18微米及以下工艺的产品将逐渐成为市场主流产品，产品工艺水平世代共存将是中国集成电路市场的特点。随着信息技术的快速发展和新应用领域的出现，如移动通信、数字音视频产品、智能家庭网络、下一代互联网、信息安全产品、3C融合产品、智能卡和电子标签、汽车电子等。，需求将形成集成电路新的经济增长点。“十一五”期间，我国集成电路进口年均增速将在15%以上，贸易逆差局面难以改变。

国内产业政策环境将继续改善。中央和地方各级政府及相关部门都非常重视集成电路产业的发展，一些进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的政策的出台，将为集成电路产业的发展提供更加有利的政策环境。

投资强度和技术门槛越来越高。一条12英寸集成电路前工艺生产线的投资规模超过15亿美元，产品设计研发成本已经上升到几百万美元甚至上千万美元。企业的资金实力和技术创新能力成为竞争的关键。

对外国高端技术转让的限制将继续存在。作为战略性产业，世界主要发达国家越来越重视集成电路产业的发展。为了保持领先地位，他们仍将控制关键技术设备、材料、高端设计和工艺技术向发展中国家的转移，国内产业面临的技术挑战仍将长期存在。

识产权和专利之间的摩擦将会加剧。随着全球竞争的加深，跨国公司利用其在技术、市场和资金方面的优势地位，以及更多的知识产权等技术手段进行竞争。国内企业的发展面临着各种压力。