日本JX金属将在茨城增设高纯硫酸铜生产线,产能计划提高50%

   2026-11-06 7
核心提示:日本JX金属11月5日宣布,将在茨城县日立地区现有制造基地增设高纯硫酸铜生产线,计划把相关产品产能较2026财年上半年提高约50%。新设备预计从2027财年下半年开始陆续运行,主要满足半导体铜布线、先进封装及印制电路板电镀材料的需求。目前项目处于扩产决定阶段,新增设施尚未投入生产。

同样是硫酸铜,用于普通工业电镀与用于半导体精密布线,对材料杂质含量的要求并不相同。随着半导体制造工艺不断向高密度互连发展,高纯度铜电镀材料的供应能力受到更多关注。

11月5日,日本JX金属株式会社(JX Advanced metals)决定在茨城事业所日立地区增设高纯硫酸铜生产线。此次扩产针对该公司的Upinorg(ユピノーグ)产品,新设备计划从2027财年下半年开始分阶段投入运行。

根据企业公布的方案,新增设备全部形成预定生产能力后,高纯硫酸铜产能将比2026财年上半年提高约50%。JX金属没有公布扩产前后的具体年产吨数,也未披露新生产线的建设面积和设备数量。

此次扩产并非建设一座全新的半导体工厂,而是在现有材料制造基地增加生产设施。

JX金属的高纯硫酸铜业务已有40多年历史,产品主要用于精密铜电镀工艺。其中一项应用是印制电路板的通孔及微孔填铜。通过在孔壁沉积铜或向微孔内部填充铜,可以实现电路板不同导电层之间的电气连接。

另一项应用是半导体制造中的镶嵌式铜互连工艺(Damascene Process)。该工艺通过在绝缘材料中形成微细沟槽和孔洞,填充铜材料后去除表面多余的铜,最终形成所需的导电结构。

这些工艺对电镀材料的质量一致性有相应要求。JX金属利用自身的高纯化处理技术生产Upinorg,以控制原料中的杂质水平,产品已应用于印制电路板和半导体制造相关电镀工艺。

公司表示,近期先进半导体及高带宽存储器(HBM)相关制造需求增加,推动高质量铜电镀材料需求扩大。先进封装需要在有限空间内完成更多电气互连,材料质量与制造工艺之间的配合成为生产中的重要环节。

对于已经建立精密材料供应体系的制造企业,扩大产能还涉及产品质量稳定性和后续交付安排。JX金属此次选择在日立现有基地增设产线,计划在扩大制造能力的同时维持高纯度产品的稳定供应。

不过,企业尚未公开新生产线采用的纯化设备、自动化控制系统、检测仪器及具体工艺参数,因此无法判断此次扩产会涉及哪些设备采购项目。

从工程进度来看,2026年11月5日确认的是企业正式作出扩产决定,而不是新生产线已经开工或投产。新设备计划于2027财年下半年陆续运行,最终达到规划能力的具体日期仍未公布。

此次投资将增加JX金属在日本的高纯度电镀材料制造能力。与直接建设芯片生产线不同,该项目属于半导体制造上游材料的产能扩充,其实际供货规模仍需以后续设备投运及生产数据为准。


 
 
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