两栋高等级洁净厂房、一座智能化仓储物流中心和一座厂务动力站，将成为光迅科技在武汉新增制造基地的主要设施。11月1日，光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目（一期）在武汉东湖综合保税区正式开工，项目进入工程建设阶段。

新项目由武汉光迅科技股份有限公司组织实施，选址位于现有高端光电器件产业基地。项目用地面积约3.5万平方米，规划总建筑面积16.63万平方米。除生产厂房外，还将建设员工中心及其他配套设施。待本轮建设完成后，整个产业基地的建筑面积预计接近37万平方米。

此次新建厂房主要服务于高速光通信器件制造。按照公布的产品规划，未来生产范围涉及800G至12.8T高速光模块及光引擎，同时包括光线路交换设备（OCS）、波长选择开关（WSS）等光互连产品。其中，高速光模块是新项目扩大制造能力的重要方向，规划达产后的新增年产能超过1000万只。

新建厂房采用高等级洁净生产设施，与相关产品的精密制造要求相对应。硅光器件和高速光模块涉及光电芯片、精密封装及光学连接等加工环节，生产过程需要根据不同产品的工艺要求控制制造环境。光迅科技计划在新设施中持续导入先进制造工艺和自动化装备，但目前尚未公布各生产线的具体设备配置。

除生产空间外，厂务动力设施也是此次建设的重要组成部分。湖北省公共资源交易平台此前披露的工程招标计划中，已经列有该项目一期110千伏变电站及外线工程的相关监理安排。对于包含多栋洁净厂房的光电子制造基地，配套供电及厂务系统需要与生产设施建设相互衔接。相关招标计划属于前期工程资料，并不代表变电站已经建成。

智能化仓储物流中心则将为新增制造区域提供配套空间。项目计划通过扩大生产、物流和相关辅助设施，改善高端光电子器件的规模化制造条件。企业提出的新制造布局覆盖产品研发、工艺验证和量产环节，但各类设备的安装时间与实际生产节拍仍需根据工程推进情况确定。

这次开工属于光迅科技在武汉现有产业基地上的进一步扩建，并非公司首次在当地建设光电子制造设施。光迅科技已经形成涵盖光芯片、光器件和光模块的业务体系，新项目将在既有制造基础上增加面向高速光互连产品的生产空间。

根据现场报道，项目建设工期规划约14个月，计划于2027年底完成竣工验收，并推进设备安装调试及产能释放。需要区分的是，厂房竣工、设备调试和达到设计产能并不是同一个工程节点。11月1日确认的是一期项目开工，规划产能尚未转化为实际产量。

从此次公开的建设安排来看，光迅科技不仅增加了生产厂房，还同步规划了洁净制造环境、仓储物流和供电配套设施。新一期工程的主要任务，是为更高传输速率的光模块及相关光电子器件提供新增制造能力，后续生产规模将取决于工程完成、设备投运和产品量产进度。