据英特尔公司表示，它的三栅极晶体管━━一种未来派晶体管（能够使电流更加自由地在芯片内流动）正在更进一步走向实用化了。

    据英特尔公司科技制造集团负责组件研发的联合主管戴维表示，三栅极晶体管可以让英特尔公司在这10年中的后5年仍可以继续摩尔定律神话的几种技术之一，这一技术在英特尔公司的研发道路上已经占有“先导”地位，这意味着这一技术可能会在大约2007年在芯片生产中实用化。戴维指出：“我们已经经过了研究阶段，目前正处于开发阶段中，在不超过1、2年的时间里我们就会使其进入快速道发展。”

    控制电流是芯片设计者面临的主要问题之一。根据摩尔定律，芯片上晶体管的数目每两年就会翻一番，芯片厂商一般通过缩小晶体管的尺寸来完成这一要求。然而，尺寸较小的晶体管会泄露电流，导致电池使用寿命缩短以及还会产生过多的热量。而三栅极晶体管则能够通过增大栅极的表面积使这一问题得到进一步的改善。传统的栅极是平坦的，电流象一条小溪直接通过其下面流动。而三栅极就象一个地道，电流在其内部流动，更大的表面积使电流的稳定性得以提高。晶体管的性能得到了提高，减少了电流量的泄露。

    据戴维表示，英特尔公司在其实验室已经研制成了栅极长度为30纳米的三栅极晶体管，公司目前正在研制一种新型的平均线宽为45纳米（1纳米就是十亿分之一米）的芯片，这些芯片将在2007年面向市场。然而目前在这样的芯片中，晶体管的大小大约只有20纳米。据Insight 64公司的分析家布鲁克伍德表示：“这是在缩小晶体管尺寸中的一个完全不同的方法。”IBM公司和AMD公司都正在生产 "finfet"二栅极晶体管。

    戴维还表示，英特尔公司正在研究如何对现有平面晶体管进行改进。这两种方案都是太赫晶体管计划的一部分。