从存储芯片细分产品来看，目前DRAM和NAND Flash占据了存储芯片95%以上的市场份额。根据IC Insights发布的数据显示，DRAM销售额在2020年约占整个存储市场的53%，闪存的比重约达到45%，其中NAND闪存为44%，NOR闪存为1%，其他存储芯片(EEPROM、EPROM、ROM、SRAM等)将会缓慢成长，但大幅抢下市占的可能性并不高。

　　目前，DRAM芯片的市场格局是由三星、SK海力士和美光统治，三大巨头市场占有率合计已超过95%，而三星一家公司市占率就已经逼近50%。寡头垄断的格局使得中国企业对DRAM芯片议价能力很低，也使得DRAM芯片成为我国受外部制约最严重的基础产品之一。

　　2020年，DRAM企业格局总体变化不大，头部企业份额小幅被挤压，CR5由2018年Q1的99%下降至2020年Q4的98.4%，仍为高度集中市场。

　　NAND Flash经过几十年的发展，已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局。自2019后其他厂商如中国的长江存储慢慢进入全球视线，但市占率仍然较低。

　　从中国存储芯片行业竞争格局来看，市场主要由国外存储芯片巨头领导，细分领域也落后于国外及中国台湾厂商(如NOR Flash的旺宏/华邦等)，但近年来国内厂商奋力追赶，已在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距，其中，兆易创新位列NOR Flash市场前三，聚辰股份在EEPROM芯片领域市占率全球第三，长江存储128层3DNAND存储芯片，直接跳过96层，加速赶超国外厂商先进技术。

　　值得注意的是，兆易创新集团旗下还包含长鑫存储(CXMT)，意味着兆易创新集团同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力，扮演中国半导体发展的重要角色。

　　在全球千亿级美元存储芯片市场规模中，中国厂商整体营收规模较小。从中国存储芯片行业主要上市公司来看，兆易创新存储芯片营业收入居于其他企业前列，2019年为255558.64万元；紫光国芯排名第二，2019年存储芯片营业收入为84287.41万元；聚辰股份2019年存储芯片(EEPROM)营业收入为45250.56万元；普冉半导体存储芯片(EEPROM和NOR Flash)营业收入为36045.29万元。

　　从主要存储芯片发展趋势来看，DRAM的技术发展路径是以微缩制程来提高存储密度。制程工艺进入20nm之后，制造难度大幅提升，内存芯片厂商对工艺的定义从具体的线宽转变为在具体制程范围内提升二或三代技术来提高存储密度。

　　譬如，1X/1Y/1Z是指10nm级别第一代、第二代、第三代技术。目前市场上DRAM的应用较为广泛的制程是2Xnm和1Xnm，三星、美光、海力士等巨头厂商均已开发出1Znm制程的DRAM。

　　NAND Flash制程已经达到极限，目前，厂商们另辟蹊径从2D转向3D发展，目的是通过增加芯片的堆叠层数来获得更大的存储容量，而堆叠层数增加意味着光刻次数也随之增加。

　　随着新科技如人工智能、AR/VR、物联网崛起以及下游消费电子、汽车电子的强劲需求，全球半导体需求有望得到复苏，推动存储芯片需求上升。根据WSTS预测，全球存储芯片市场有望在2021年重回增长轨道，市场规模突破1300亿美元，前瞻预计到2026年全球存储芯片市场规模有望突破2000亿美元；

　　从中国市场来看，以智能手机、计算机等消费电子领域和云计算、大数据等高新科技技术领域为代表的存储芯片应用推动了存储芯片市场需求增长。

　　此外，在中美贸易战中，美国通过多种方式限制对华出口高科技产品。受此影响，中国加大力度发展半导体行业，国产存储芯片的发展势头更加迅猛，一些企业对国产存储芯片的替代也更加迫切。