进行具体工程的抗干扰设计时,要选择有较高抗干扰能力的产品,采取抑制干扰源、切断或衰减电磁干扰的传播途径和利用软件手段等措施,提高装置和系统的抗干扰能力。
1、 采用性能优良的电源,抑制电网引入的干扰
对于plc控制器供电的电源,应采用非动力线路供电,直接从低压配电室的主母线上采用专用线供电。选用隔离变压器,且变压器容量应比实际需要大1.2~1.5倍左右,还可在隔离变压器前加入滤波器。对于变送器和共用信号仪表供电应选择分布电容小、采用多次隔离和屏蔽及漏感技术的配电器。控制器和I/O系统分别由各自的隔离变压器供电,并与主电路电源分开。PLC控制器的24V直流电源尽量不要给外围的各类传感器供电,以减少外围传感器内部或供电线路短路故障对PLC控制器的干扰。此外,为保证电网馈电不中断,可采用在线式不间断供电电源(UPS)供电,UPS具备过压、欠压保护功能、软件监控、与电网隔离等功能,可提高供电的安全可靠性。对于一些重要的设备,交流供电电路可采用双路供电系统。
2、 正确选择电缆的和实施敷设,消除可编程控制器、人机界面的空间辐射干扰。
不同类型的信号分别由不同电缆传输,采用远离技术,信号电缆按传输信号种类分层敷设,相同类型的信号线采用双绞方式。严禁用同一电缆的不同导线同时传送动力电源和信号,避免信号线与动力电缆靠近平行敷设,增大电缆之间的夹角,以减少电磁干扰。为了减少动力电缆尤其是变频装置馈电电缆的辐射电磁干扰,从干扰途径上阻隔干扰的侵入,要采用屏蔽电力电缆。
3、 PLC控制器输入输出通道的抗干扰措施
输入模块的滤波可以降低输入信号的线间的差模干扰。为了降低输入信号与大地间的共模干扰,PLC控制器要良好接地。输入端有感性负载时,对于交流输入信号,可在负载两端并接电容和电阻,对于直流输入信号可并接续流二极管。为了抑制输入信号线间的寄生电容、与其他线间的寄生电容或耦合所产生的感应电动势,可采用RC浪涌吸收器。
输出为交流感性负载,可在负载两端并联RC浪涌吸收器;若为直流负载,可并联续流二极管,也要尽可能靠近负载。对于开关量输出的场合,可以采用浪涌吸收器或晶闸管输出模块。另外,采用输出点串接中间继电器或光电耦合措施,可防止PLC控制器输出点直接接入电气控制回路,在电气上完全隔离。
4、 PLC控制器抗干扰的软件措施
由于电磁干扰的复杂性,仅采取硬件抗干扰措施是不够的,要用PLC控制器的软件抗干扰技术来加以配合,进一步提高系统的可靠性。采用数字滤波和工频整形采样、定时校正参考点电位等措施,有效消除周期性干扰、防止电位漂移。采用信息冗余技术,设计相应的软件标志位;采用间接跳转,设置软件保护等。例如对开关量输入信号,采用定时器延时的方式多次读入,结果一致再确认有效,提高了软件的可靠性。
5、 正确选择接地点,完善接地系统。
良好的接地是保证PLC控制器可靠工作的重要条件,可以避免偶然发生的电压冲击危害,还可以抑制干扰。完善的接地系统是PLC控制器抗电磁干扰的重要措施之一。
PLC控制器属高速低电平控制装置,应采用直接接地方式。为了抑制加在电源及输入端、输出端的干扰,应给PLC控制器接上专用地线,接地点应与动力设备的接地点分开。若达不到这种要求,也必须做到与其他设备公共接地,禁止与其他设备串联接地。接地点应尽可能靠近PLC控制器。集中布置的PLC控制器适于并联一点接地方式,各装置的柜体中心接地点以单独的接地线引向接地极。分散布置的PLC控制器,应采用串联一点接地方式。接地极的接地电阻小于2Ω,接地极最好埋在距建筑物10~15m远处,而且PLC控制器接地点必须与强电设备接地点相距10m以上。如果要用扩展单元,其接地点应与基本单元的接地点接在一起。
信号源接地时,屏蔽层应在信号侧接地;信号源不接地时,应在PLC控制器侧接地。信号线中间有接头时,屏蔽层应牢固连接并进行绝缘处理,各屏蔽层应相互连接好。选择适当的接地处单点接地,要避免多点接地。
6、 设备选型。
在选择设备时,首先要了解国产PLC生产厂家给出的抗干扰指标,如共模抑制比、差模抑制比、耐压能力、允许在多大电场强度和多高频率的磁场强度环境中工作等,要选择有较高抗干扰能力的产品,如采用浮地技术、隔离性能好的可编程控制器、人机界面可编程控制器、人机界面现场应用时的抗干扰问题,是复杂而细致的。抗干扰性设计是一个十分复杂的系统性工程,涉及到具体的输入输出设备和工业现场的具体环境,要求我们要综合考虑各方面的因素,必须根据现场的实际情况,从减少干扰源、切断干扰途径等方面进行全面的考虑,充分利用各种抗干扰措施来进行可编程控制器、人机界面的设计。才能真正提高可编程控制器、人机界面HMI现场应用时的抗干扰能力,确保系统安全稳定运行。
富士胶片投资100亿日元扩建日本磁带生产设施
日本富士胶片株式会社10月29日宣布,计划在神奈川县小田原生产基地投资约100亿日元,扩大数据存储磁带制造能力。投资将在2026至2028财年实施,主要用于增加生产设备和人员配置,重点扩大LTO Ultrium10磁带的供应。企业计划将以出货存储容量计算的制造能力提高至2025财年的约5倍,目前项目处于投资决定阶段。
0评论2026-10-303
赛峰集团马来西亚碳刹车工厂扩建完成,新增维修中心
2026年10月28日,赛峰集团旗下Safran Landing Systems宣布,位于马来西亚森达扬的航空碳制动盘工厂完成扩建,同时启用汝来新维修中心。两项工程合计投资1.36亿欧元,其中制造基地新增7000平方米生产空间,配置碳化炉、纺织生产线及机械加工设备,计划到2028年将碳制动盘产能提高至现有水平的两倍。
0评论2026-10-304
施耐德电气厦门翔安工业园一期投产,中压开关柜柔性产线启用
2026年10月28日,施耐德电气厦门翔安工业园一期正式竣工投产,园区总建筑面积约11万平方米,是施耐德电气目前全球规模最大的中压电气设备制造基地。新工厂建有中压开关柜柔性生产线、钣金加工车间和自动铜排生产线,并配备智能检测设备。园区将承担中压配电设备制造、技术研发及相关服务业务。
0评论2026-10-304
阿特拉斯·科普柯美国压缩机工厂扩建完成并启用
阿特拉斯·科普柯集团2026年10月28日宣布,旗下Atlas Copco Comptec位于美国纽约州的压缩机制造基地完成扩建并投入使用。项目新增约5850平方米制造空间,配备大型起重设备、测试设施及物流仓储区域,重点提升大型整体齿轮传动离心压缩机的制造能力,满足工业气体、液化天然气及其他工业领域的设备需求。
0评论2026-10-303
美国Curtiss-Wright投资3000万美元扩建得州传感器工厂
美国工业设备制造商Curtiss-Wright于2026年10月29日宣布,计划投资3000万美元扩建得克萨斯州朗德罗克制造基地,增加压力传感器和温度传感器的生产能力。项目还将增设先进创新中心、计量测试实验室及项目管理设施,改善现有生产流程,并为后续仪器仪表和控制产品开发预留空间。目前项目处于投资扩建公告阶段,具体施工及投产时间尚未公布。
0评论2026-10-303
日本德山将在山口县扩建氮化铝颗粒生产设施,产能计划提高约50%
日本德山株式会社(Tokuyama)10月29日宣布,将在山口县柳井市先进技术事业化中心增设氮化铝颗粒生产设备,计划将相关产品产能在现有基础上提高约50%,并于2028年2月启动商业运营。该项目将与此前公布的氮化铝粉末扩产计划相衔接,逐步形成从粉末制造到颗粒加工的连续生产体系,扩大半导体及电子元器件用散热材料的供应能力。
0评论2026-10-303
意大利Bracco计划投资2.3亿美元在美国建设首座造影剂工厂,新增无菌制剂生产能力
意大利Bracco集团于2026年10月27日宣布,将投资2.3亿美元,在美国北卡罗来纳州桑福德市建设首座注射用造影剂制造工厂,预计新增200个工作岗位。项目将采用无菌制剂制造设施,扩大企业在美国的生产布局,并与欧洲、亚洲及加拿大现有工厂形成配合。目前投资计划已经公布,正式开工日期、生产设备配置及预计投产时间尚未披露。
0评论2026-10-2814
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0评论2026-10-2815
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0评论2026-10-2812
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0评论2026-10-2811